STP7NB60
Производитель Номер продукта:

STP7NB60

Product Overview

Производитель:

STMicroelectronics

Номер детали:

STP7NB60-DG

Описание:

MOSFET N-CH 600V 7.2A TO220AB
Подробное описание:
N-Channel 600 V 7.2A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220

Инвентаризация:

12882017
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

STP7NB60 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
-
Серия
PowerMESH™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
7.2A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.2Ohm @ 3.6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1625 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
125W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220
Упаковка / Чехол
TO-220-3

Дополнительная информация

Стандартный пакет
50
Другие названия
497-2761-5

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095

Альтернативные модели

Номер детали
IRFB9N65APBF
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
912
Номер части
IRFB9N65APBF-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.19
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
diodes

DMN67D8LW-7

MOSFET N-CH 60V 240MA SOT323

diodes

DMN601TK-7

MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-523

infineon-technologies

IAUZ40N10S5N130ATMA1

MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON-33

diodes

DMTH10H005SCT

MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB