Производитель Номер продукта:
STP80N600K6
Product Overview
Производитель:
STMicroelectronics
Номер детали:
STP80N600K6-DG
Описание:
N-CHANNEL 800 V, 515 MOHM TYP.,
Подробное описание:
N-Channel 800 V 7A (Tc) 86W (Tc) Through Hole TO-220
Инвентаризация:
44 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13000717
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
STP80N600K6 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
600mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
10.7 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
540 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
86W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
STP80
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
497-STP80N600K6
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
STWA65N023M9
N-CHANNEL 650 V, 19.9 MOHM TYP.,
DMT3006LFDFQ-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
DMTH6002LPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506