Производитель Номер продукта:
STP8N120K5
Product Overview
Производитель:
STMicroelectronics
Номер детали:
STP8N120K5-DG
Описание:
MOSFET N-CH 1200V 6A TO220
Подробное описание:
N-Channel 1200 V 6A (Tc) 130W (Tc) Through Hole TO-220
Инвентаризация:
996 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12880964
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
KqNF
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
STP8N120K5 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
Tube
Серия
MDmesh™ K5
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
13.7 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
505 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
130W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
STP8N120
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
STP8N120K5-DG
497-18093
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
STD11NM50N
MOSFET N-CH 500V 8.5A DPAK
STF7N65M2
MOSFET N-CH 650V 5A TO220FP
STW16NM50N
MOSFET N-CH 500V 15A TO247-3