Производитель Номер продукта:
STQ1NK80ZR-AP
Product Overview
Производитель:
STMicroelectronics
Номер детали:
STQ1NK80ZR-AP-DG
Описание:
MOSFET N-CH 800V 300MA TO92-3
Подробное описание:
N-Channel 800 V 300mA (Tc) 3W (Tc) Through Hole TO-92-3
Инвентаризация:
3891 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12876166
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
STQ1NK80ZR-AP Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
Tape & Box (TB)
Серия
SuperMESH™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
300mA (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
16Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 50µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
7.7 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
160 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-92-3
Упаковка / Чехол
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Базовый номер продукта
STQ1NK80
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,000
Другие названия
497-6197-3
497-6197-1
STQ1NK80ZRAP
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
STS17NH3LL
MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
STY30NK90Z
MOSFET N-CH 900V 26A MAX247
STW240N10F7
MOSFET N-CH 100V 180A TO247
