Производитель Номер продукта:
STQ2HNK60ZR-AP
Product Overview
Производитель:
STMicroelectronics
Номер детали:
STQ2HNK60ZR-AP-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 500MA TO92-3
Подробное описание:
N-Channel 600 V 500mA (Tc) 3W (Tc) Through Hole TO-92-3
Инвентаризация:
9835 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12872963
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
STQ2HNK60ZR-AP Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
Tape & Box (TB)
Серия
SuperMESH™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
500mA (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.8Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 50µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
280 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-92-3
Упаковка / Чехол
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Базовый номер продукта
STQ2HNK60
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,000
Другие названия
STQ2HNK60ZRAP
497-12344-1
497-12344-3
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
STB45N40DM2AG
MOSFET N-CH 400V 38A D2PAK
STD5N62K3
MOSFET N-CH 620V 4.2A DPAK
STL225N6F7AG
MOSFET N-CH 60V 120A POWERFLAT
