Производитель Номер продукта:
STQ2LN60K3-AP
Product Overview
Производитель:
STMicroelectronics
Номер детали:
STQ2LN60K3-AP-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 600MA TO92-3
Подробное описание:
N-Channel 600 V 600mA (Tc) 2.5W (Tc) Through Hole TO-92-3
Инвентаризация:
7300 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12873757
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
STQ2LN60K3-AP Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
Tape & Box (TB)
Серия
SuperMESH3™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
600mA (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.5Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 50µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
235 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.5W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-92-3
Упаковка / Чехол
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Базовый номер продукта
STQ2LN60
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,000
Другие названия
497-STQ2LN60K3-APTB
497-13391-1-DG
497-STQ2LN60K3-APCT
497-13391-3-DG
497-13391-1
497-13391-3
STQ2LN60K3AP
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
STD3N80K5
MOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK
STW26NM60ND
MOSFET N-CH 600V 21A TO247
STW24NM60N
MOSFET N-CH 600V 17A TO247
