Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
ДР Конго
Аргентина
Турция
Румыния
Литва
Норвегия
Австрия
Ангола
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Беларусь
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Черногория
Русский
Бельгия
Швеция
Сербия
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Молдова
Германия
Нидерланды
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
Франция
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Португалия
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Испания
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
STSJ100NH3LL
Product Overview
Производитель:
STMicroelectronics
Номер детали:
STSJ100NH3LL-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 100A 8SOIC
Подробное описание:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 3W (Ta), 70W (Tc) Surface Mount 8-SOIC-EP
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12879631
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
STSJ100NH3LL Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
-
Серия
STripFET™ III
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.5mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
40 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±16V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4450 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3W (Ta), 70W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SOIC-EP
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Базовый номер продукта
STSJ100N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
STSJ100NH3LL
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
497-5785-6
STSJ100NH3LL-DG
497-5785-1
497-5785-2
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
SI4842BDY-T1-GE3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1589
Номер части
SI4842BDY-T1-GE3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.94
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
STD65NF06
MOSFET N-CH 60V 60A DPAK
STD90N4F3
MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
STF8NM60N
MOSFET N-CH 600V 7A TO220FP
STP2N80K5
MOSFET N-CH 800V 2A TO220