Производитель Номер продукта:
STU10NM60N
Product Overview
Производитель:
STMicroelectronics
Номер детали:
STU10NM60N-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 10A IPAK
Подробное описание:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 70W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Инвентаризация:
2990 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12875819
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
STU10NM60N Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
Tube
Серия
MDmesh™ II
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
550mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
540 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
70W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-251 (IPAK)
Упаковка / Чехол
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Базовый номер продукта
STU10
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
75
Другие названия
STU10NM60N-DG
497-12692-5-DG
497-12692-5
497-STU10NM60N
-497-12692-5
-497-12692-5-DG
-1138-STU10NM60N
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
STL22N65M5
MOSFET N-CH 650V 15A PWRFLAT HV
STP3NK50Z
MOSFET N-CH 500V 2.3A TO220AB
STW74NF30
MOSFET N-CH 300V 60A TO247
