Производитель Номер продукта:
STU13N65M2
Product Overview
Производитель:
STMicroelectronics
Номер детали:
STU13N65M2-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 10A IPAK
Подробное описание:
N-Channel 650 V 10A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Инвентаризация:
12874482
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
STU13N65M2 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
-
Серия
MDmesh™ M2
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
430mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
590 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
110W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-251 (IPAK)
Упаковка / Чехол
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Базовый номер продукта
STU13N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
75
Другие названия
497-15574-5
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
SIHU7N60E-E3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
SIHU7N60E-E3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.82
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
STF30N10F7
MOSFET N-CH 100V 24A TO220FP
STD7NM50N
MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
STW23NM60ND
MOSFET N-CH 600V 19.5A TO247-3
