STW13NM50N
Производитель Номер продукта:

STW13NM50N

Product Overview

Производитель:

STMicroelectronics

Номер детали:

STW13NM50N-DG

Описание:

MOSFET N-CH 500V 12A TO247-3
Подробное описание:
N-Channel 500 V 12A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-247-3

Инвентаризация:

12945750
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

STW13NM50N Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
-
Серия
MDmesh™ II
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
500 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
320mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
960 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
100W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247-3
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
STW13N

Дополнительная информация

Стандартный пакет
600
Другие названия
497-7617-5
STW13NM50N-DG

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
stmicroelectronics

STD150NH02LT4

MOSFET N-CH 24V 150A DPAK

infineon-technologies

IPP65R041CFD7XKSA1

650V FET COOLMOS TO247

infineon-technologies

IQE013N04LM6CGATMA1

40V N-CH FET SOURCE-DOWN CG 3X3

infineon-technologies

IPW65R060CFD7XKSA1

650V FET COOLMOS TO247