STW18N60DM2
Производитель Номер продукта:

STW18N60DM2

Product Overview

Производитель:

STMicroelectronics

Номер детали:

STW18N60DM2-DG

Описание:

MOSFET N-CH 600V 12A TO247
Подробное описание:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-247-3

Инвентаризация:

134 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12878945
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

STW18N60DM2 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
Tube
Серия
MDmesh™ DM2
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
295mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
800 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
90W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247-3
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
STW18

Дополнительная информация

Стандартный пакет
30
Другие названия
497-16340-5

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
stmicroelectronics

STF10N60DM2

MOSFET N-CH 600V 8A TO220FP

stmicroelectronics

STFI4N62K3

MOSFET N CH 620V 3.8A I2PAKFP

stmicroelectronics

STWA48N60DM2

MOSFET N-CH 600V 40A TO247

stmicroelectronics

STP7NK30Z

MOSFET N-CH 300V 5A TO220AB