Производитель Номер продукта:
STW18NM60N
Product Overview
Производитель:
STMicroelectronics
Номер детали:
STW18NM60N-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3
Подробное описание:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-247-3
Инвентаризация:
547 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12872751
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
STW18NM60N Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
Tube
Серия
MDmesh™ II
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
285mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1000 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
110W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247-3
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
STW18
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
497-10997-5-DG
-497-10997-5
497-STW18NM60N
STW18NM60N-DG
497-10997-5
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI3400A-TP
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23
STL90N10F7
MOSFET N-CH 100V 70A POWERFLAT
PHU11NQ10T,127
MOSFET N-CH 100V 10.9A IPAK
