STW3N170
Производитель Номер продукта:

STW3N170

Product Overview

Производитель:

STMicroelectronics

Номер детали:

STW3N170-DG

Описание:

MOSFET N-CH 1700V 2.6A TO247-3
Подробное описание:
N-Channel 1700 V 2.6A (Tc) 160mW Through Hole TO-247-3

Инвентаризация:

12945530
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

STW3N170 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
Tube
Серия
PowerMESH™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1700 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2.6A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
13Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1100 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
160mW
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247-3
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
STW3N170

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
30
Другие названия
497-16332-5

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095

Альтернативные модели

Номер детали
IXTH2N150L
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
176
Номер части
IXTH2N150L-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
8.26
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
stmicroelectronics

STL8N65M5

MOSFET N-CH 650V 7A POWERFLAT

stmicroelectronics

STH140N6F7-6

MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-6

stmicroelectronics

STW15NK90Z

MOSFET N-CH 900V 15A TO247-3

stmicroelectronics

STF23NM60ND

MOSFET N-CH 600V 19.5A TO220FP