Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
STW3N170
Product Overview
Производитель:
STMicroelectronics
Номер детали:
STW3N170-DG
Описание:
MOSFET N-CH 1700V 2.6A TO247-3
Подробное описание:
N-Channel 1700 V 2.6A (Tc) 160mW Through Hole TO-247-3
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12945530
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
STW3N170 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
Tube
Серия
PowerMESH™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1700 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2.6A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
13Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1100 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
160mW
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247-3
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
STW3N170
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
STW3N170, STWA3N170
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
497-16332-5
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IXTH2N150L
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
176
Номер части
IXTH2N150L-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
8.26
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
STL8N65M5
MOSFET N-CH 650V 7A POWERFLAT
STH140N6F7-6
MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-6
STW15NK90Z
MOSFET N-CH 900V 15A TO247-3
STF23NM60ND
MOSFET N-CH 600V 19.5A TO220FP