STW65N65DM2AG
Производитель Номер продукта:

STW65N65DM2AG

Product Overview

Производитель:

STMicroelectronics

Номер детали:

STW65N65DM2AG-DG

Описание:

MOSFET N-CH 650V 60A TO247
Подробное описание:
N-Channel 650 V 60A (Tc) 446W (Tc) Through Hole TO-247-3

Инвентаризация:

393 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12878689
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

STW65N65DM2AG Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
Tube
Серия
MDmesh™ DM2
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
50mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5500 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
446W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247-3
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
STW65

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
30
Другие названия
497-16127-5

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
stmicroelectronics

STF6N62K3

MOSFET N-CH 620V 5.5A TO220FP

stmicroelectronics

STT4P3LLH6

MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-6

stmicroelectronics

STD85N3LH5

MOSFET N-CH 30V 80A DPAK

stmicroelectronics

STL105N4LF7AG

MOSFET N-CH 40V 105A POWERFLAT