STWA60N043DM9
Производитель Номер продукта:

STWA60N043DM9

Product Overview

Производитель:

STMicroelectronics

Номер детали:

STWA60N043DM9-DG

Описание:

N-CHANNEL 600 V, 38 MOHM TYP., 5
Подробное описание:
N-Channel 600 V 56A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-247 Long Leads

Инвентаризация:

185 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12994155
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

STWA60N043DM9 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
56A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
43mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
78.6 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4675 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
312W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247 Long Leads
Упаковка / Чехол
TO-247-3

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
30
Другие названия
497-STWA60N043DM9

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
onsemi

NTTFSS1D1N02P1E

25V PT11E IN 3X3 SD PACKAGE

taiwan-semiconductor

TSM250NB06LCV RGG

60V, 27A, SINGLE N-CHANNEL POWER

diodes

DMN2991UFB4-7B

MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-