Производитель Номер продукта:
STY112N65M5
Product Overview
Производитель:
STMicroelectronics
Номер детали:
STY112N65M5-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 96A MAX247
Подробное описание:
N-Channel 650 V 96A (Tc) 625W (Tc) Through Hole MAX247™
Инвентаризация:
600 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12879739
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
STY112N65M5 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
Tube
Серия
MDmesh™ V
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
96A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
22mOhm @ 47A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
350 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
16870 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
625W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
MAX247™
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
STY112
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
-1138-STY112N65M5
497-11236-5
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
STF260N4F7
MOSFET N-CH 40V 90A TO220FP
STP10N62K3
MOSFET N-CH 620V 8.4A TO220AB
STB200N4F3
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
