Производитель Номер продукта:
TSM4ND65CI
Product Overview
Производитель:
Taiwan Semiconductor Corporation
Номер детали:
TSM4ND65CI-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 4A ITO220
Подробное описание:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 41.6W (Tc) Through Hole ITO-220
Инвентаризация:
1845 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12898671
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TSM4ND65CI Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Taiwan Semiconductor
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.6Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.8V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
16.8 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
596 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
41.6W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
ITO-220
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Базовый номер продукта
TSM4
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
1801-TSM4ND65CI
TSM4ND65CI-DG
TSM4ND65CI RLG
TSM4ND65CI C0G
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMN6040SK3Q-13
MOSFET BVDSS: 41V-60V TO252 T&R
TSM052N06PQ56 RLG
MOSFET N-CH 60V 100A 8PDFN
TSM7N90CI C0G
MOSFET N-CH 900V 7A ITO220AB
