Производитель Номер продукта:
CSD13303W1015
Product Overview
Производитель:
Texas Instruments
Номер детали:
CSD13303W1015-DG
Описание:
MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA
Подробное описание:
N-Channel 12 V 31A (Ta) 1.65W (Ta) Surface Mount 6-DSBGA (1x1.5)
Инвентаризация:
46 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12788613
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
CSD13303W1015 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Texas Instruments
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
NexFET™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
12 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
31A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
20mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
4.7 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
715 pF @ 6 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.65W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
6-DSBGA (1x1.5)
Упаковка / Чехол
6-UFBGA, DSBGA
Базовый номер продукта
CSD13303
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Страница продукта производителя
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
2156-CSD13303W1015
TEXTISCSD13303W1015
296-39990-2
296-39990-1
-296-39990-1-DG
296-39990-6
CSD13303W1015-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
CSD17313Q2
MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
CSD13302W
MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
CSD18543Q3A
MOSFET N-CH 60V 60A 8VSON
