Производитель Номер продукта:
CSD16570Q5BT
Product Overview
Производитель:
Texas Instruments
Номер детали:
CSD16570Q5BT-DG
Описание:
MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Подробное описание:
N-Channel 25 V 100A (Ta) 3.2W (Ta), 195W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (5x6)
Инвентаризация:
25968 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12815343
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
CSD16570Q5BT Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Texas Instruments
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
NexFET™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
25 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
100A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
0.59mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.9V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
250 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
14000 pF @ 12 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.2W (Ta), 195W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-VSONP (5x6)
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
CSD16570
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Страница продукта производителя
Дополнительная информация
Стандартный пакет
250
Другие названия
296-38335-6
296-38335-2
296-38335-1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPP100N04S4H2AKSA1
MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3-1
IRFR3708TRPBF
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
TP0202K-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 385MA SOT23-3
