Производитель Номер продукта:
CSD19501KCS
Product Overview
Производитель:
Texas Instruments
Номер детали:
CSD19501KCS-DG
Описание:
MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Подробное описание:
N-Channel 80 V 100A (Ta) 217W (Tc) Through Hole TO-220-3
Инвентаризация:
12788602
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
CSD19501KCS Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Texas Instruments
Упаковка
Tube
Серия
NexFET™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
100A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6.6mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3980 pF @ 40 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
217W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
CSD19501
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Страница продукта производителя
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
2156-CSD19501KCS
296-37286-5
-296-37286-5-DG
TEXTISCSD19501KCS
CSD19501KCS-DG
-296-37286-5
-CSD19501KCSINACTIVE-NDR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
CSD19534KCS
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
CSD18510Q5BT
MOSFET N-CH 40V 300A 8VSON
CSD18543Q3AT
MOSFET N-CH 60V 12A/60A 8VSON
