Производитель Номер продукта:
CSD19532Q5B
Product Overview
Производитель:
Texas Instruments
Номер детали:
CSD19532Q5B-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
Подробное описание:
N-Channel 100 V 100A (Ta) 3.1W (Ta), 195W (Tc) Surface Mount 8-VSON-CLIP (5x6)
Инвентаризация:
6211 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12818468
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
CSD19532Q5B Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Texas Instruments
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
NexFET™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
100A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.9mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
62 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4810 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.1W (Ta), 195W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-VSON-CLIP (5x6)
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
CSD19532
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Страница продукта производителя
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
296-37478-2
296-37478-6
CSD19532Q5B-DG
-296-37478-1-DG
296-37478-1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFR18N15DPBF
MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
IRF4104S
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
IRF2807S
MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
