Производитель Номер продукта:
CSD19536KTTT
Product Overview
Производитель:
Texas Instruments
Номер детали:
CSD19536KTTT-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
Подробное описание:
N-Channel 100 V 200A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (DDPAK-3)
Инвентаризация:
947 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12788555
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
CSD19536KTTT Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Texas Instruments
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
NexFET™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
200A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
153 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
12000 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
375W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263 (DDPAK-3)
Упаковка / Чехол
TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Базовый номер продукта
CSD19536
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Страница продукта производителя
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
296-41136-6
296-41136-1
296-41136-2
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
2 (1 Year)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
2N7000-G
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
CSD17483F4
MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR
CSD22204W
MOSFET P-CH 8V 5A 9DSBGA
