Производитель Номер продукта:
CSD19538Q2T
Product Overview
Производитель:
Texas Instruments
Номер детали:
CSD19538Q2T-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 13.1A 6WSON
Подробное описание:
N-Channel 100 V 13.1A (Tc) 2.5W (Ta), 20.2W (Tc) Surface Mount 6-WSON (2x2)
Инвентаризация:
4287 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12789544
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
CSD19538Q2T Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Texas Instruments
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
NexFET™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
13.1A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
59mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.8V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
5.6 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
454 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.5W (Ta), 20.2W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
6-WSON (2x2)
Упаковка / Чехол
6-WDFN Exposed Pad
Базовый номер продукта
CSD19538
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Страница продукта производителя
Дополнительная информация
Стандартный пакет
250
Другие названия
296-44612-1
296-44612-2
296-44612-6
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
CSD18503Q5AT
MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
CSD25310Q2
MOSFET P-CH 20V 20A 6WSON
CP773-CMPDM302PH-WN
MOSFET P-CH 30V 2.4A DIE