Производитель Номер продукта:
CSD23202W10
Product Overview
Производитель:
Texas Instruments
Номер детали:
CSD23202W10-DG
Описание:
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Подробное описание:
P-Channel 12 V 2.2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 4-DSBGA (1x1)
Инвентаризация:
14404 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13036083
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
CSD23202W10 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Texas Instruments
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
NexFET™
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Состояние детали
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
12 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2.2A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
53mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
900mV @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
3.8 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
-6V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
512 pF @ 6 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
4-DSBGA (1x1)
Упаковка / Чехол
4-UFBGA, DSBGA
Базовый номер продукта
CSD23202
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Страница продукта производителя
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
CSD23202W10-ND
296-40000-2
296-40000-1
-296-40000-1-ND
296-40000-6
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
CSD16327Q3
MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON
CSD19536KCS
MOSFET N-CH 100V 150A TO220-3
CSD18537NQ5AT
MOSFET N-CH 60V 50A 8VSON
