Производитель Номер продукта:
CSD25213W10
Product Overview
Производитель:
Texas Instruments
Номер детали:
CSD25213W10-DG
Описание:
MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA
Подробное описание:
P-Channel 20 V 1.6A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 4-DSBGA (1x1)
Инвентаризация:
6709 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12795556
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
CSD25213W10 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Texas Instruments
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
NexFET™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.6A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
47mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
2.9 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
-6V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
478 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
4-DSBGA (1x1)
Упаковка / Чехол
4-UFBGA, DSBGA
Базовый номер продукта
CSD25213
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Страница продукта производителя
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
296-40004-6
CSD25213W10-DG
296-40004-2
-296-40004-1-DG
296-40004-1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
CMPDM7002AG TR PBFREE
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT23
CSD23285F5
MOSFET P-CH 12V 5.4A 3PICOSTAR
CSD17570Q5B
MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
