Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
CSD86330Q3D
Product Overview
Производитель:
Texas Instruments
Номер детали:
CSD86330Q3D-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 25V 20A 8LSON
Подробное описание:
Mosfet Array 25V 20A 6W Surface Mount 8-LSON (3.3x3.3)
Инвентаризация:
23708 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12791527
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
CSD86330Q3D Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Texas Instruments
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
NexFET™
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Half Bridge)
Функция полевых транзисторов
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
25V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
20A
Rds On (макс.) @ id, vgs
9.6mOhm @ 14A, 8V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
6.2nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
920pF @ 12.5V
Мощность - Макс
6W
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
8-PowerLDFN
Комплект устройства поставщика
8-LSON (3.3x3.3)
Базовый номер продукта
CSD86330Q3
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
CSD86330Q3D
Страница продукта производителя
CSD86330Q3D Specifications
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
296-28216-2
TEXTISCSD86330Q3D
296-28216-6
-296-28216-1-DG
-CSD86330Q3D-NDR
2156-CSD86330Q3D
296-28216-1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
CJ3139KDW-G
MOSFET 2P-CH 20V 0.66A SOT363
CMLDM7002AG TR PBFREE
MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563
CMLDM8002AG TR PBFREE
MOSFET 2P-CH 50V 0.28A SOT563
CMLDM5757 TR PBFREE
MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563