Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
CSD86336Q3DT
Product Overview
Производитель:
Texas Instruments
Номер детали:
CSD86336Q3DT-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 25V 20A 8VSON
Подробное описание:
Mosfet Array 25V 20A (Ta) 6W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
Инвентаризация:
1 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12789331
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
CSD86336Q3DT Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Texas Instruments
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
NexFET™
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Half Bridge)
Функция полевых транзисторов
Logic Level Gate, 5V Drive
Напряжение стока к источнику (Vdss)
25V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
20A (Ta)
Rds On (макс.) @ id, vgs
9.1mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V
Мощность - Макс
6W
Рабочая температура
-55°C ~ 125°C
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Комплект устройства поставщика
8-VSON (3.3x3.3)
Базовый номер продукта
CSD86336Q3
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
CSD86336Q3D
Страница продукта производителя
CSD86336Q3DT Specifications
Дополнительная информация
Стандартный пакет
250
Другие названия
296-49054-6
296-49054-1
2156-CSD86336Q3DT-296
296-49054-2
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
CMLDM7003G TR
MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563
CTLDM304P-M832DS TR
MOSFET 2P-CH 30V 4.2A TLM832DS
CSD75208W1015T
MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6DSBGA
CSD86350Q5D
MOSFET 2N-CH 25V 40A 8LSON