Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
CSD87312Q3E
Product Overview
Производитель:
Texas Instruments
Номер детали:
CSD87312Q3E-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
Подробное описание:
Mosfet Array 30V 27A 2.5W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
Инвентаризация:
1573 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12814690
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
CSD87312Q3E Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Texas Instruments
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
NexFET™
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual) Common Source
Функция полевых транзисторов
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
27A
Rds On (макс.) @ id, vgs
33mOhm @ 7A , 8V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
8.2nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1250pF @ 15V
Мощность - Макс
2.5W
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Комплект устройства поставщика
8-VSON (3.3x3.3)
Базовый номер продукта
CSD87312Q3
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
CSD87312Q3E
Страница продукта производителя
CSD87312Q3E Specifications
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
2156-CSD87312Q3E
296-35526-2
-296-35526-1
-296-35526-1-DG
296-35526-1
296-35526-6
TEXTISCSD87312Q3E
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
CSD75204W15
MOSFET 2P-CH 3A 9DSBGA
IRF7343QTRPBF
MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC
IRFH4255DTRPBF
MOSFET 2N-CH 25V 64A/105A PQFN
IRF7105TRPBF
MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8SO