Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
2SA1930,Q(J
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
2SA1930,Q(J-DG
Описание:
TRANS PNP 180V 2A TO220NIS
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 180 V 2 A 200MHz 2 W Through Hole TO-220NIS
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12890629
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
2SA1930,Q(J Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип транзистора
PNP
Ток - коллектор (IC) (макс.)
2 A
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
180 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
1V @ 100mA, 1A
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
5µA (ICBO)
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 5V
Мощность - Макс
2 W
Частота - переход
200MHz
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Комплект устройства поставщика
TO-220NIS
Базовый номер продукта
2SA1930
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1
Другие названия
2SA1930Q(J
2SA1930QJ
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0075
Альтернативные модели
Номер детали
TTA004B,Q
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
TTA004B,Q-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.12
Тип замещения
Similar
Номер детали
2SA1668
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Sanken Electric USA Inc.
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1953
Номер части
2SA1668-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.70
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
2SC4738-BL(TE85L,F
TRANS NPN 50V 0.15A SSM
2SC2655-Y(T6CANOFM
TRANS NPN 50V 2A TO92MOD
TTC011B,Q(S
TRANSISTOR NPN BIPO TO126N
TTA1713-GR,LF
TRANS PNP 45V 0.5A SMINI