Производитель Номер продукта:
2SB1495,Q(M
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
2SB1495,Q(M-DG
Описание:
TRANS PNP 100V 3A TO220NIS
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 3 A 2 W Through Hole TO-220NIS
Инвентаризация:
12891794
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
2SB1495,Q(M Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип транзистора
PNP
Ток - коллектор (IC) (макс.)
3 A
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
100 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
1.5V @ 1.5mA, 1.5A
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
10µA (ICBO)
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
2000 @ 2A, 2V
Мощность - Макс
2 W
Частота - переход
-
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Комплект устройства поставщика
TO-220NIS
Базовый номер продукта
2SB1495
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1
Другие названия
2SB1495QM
2SB1495Q(M
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
2SC3668-Y,T2F(M
TRANS NPN 50V 2A MSTM
FMMT451TA
TRANS NPN 60V 1A SOT23-3
FMMT459QTA
TRANS NPN 450V 0.15A SOT23-3
