Производитель Номер продукта:
2SC3669-Y(T2OMI,FM
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
2SC3669-Y(T2OMI,FM-DG
Описание:
TRANS NPN 80V 2A MSTM
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 2 A 100MHz 1 W Through Hole MSTM
Инвентаризация:
12891429
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
2SC3669-Y(T2OMI,FM Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип транзистора
NPN
Ток - коллектор (IC) (макс.)
2 A
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
80 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
500mV @ 50mA, 1A
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
1µA (ICBO)
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
70 @ 500mA, 2V
Мощность - Макс
1 W
Частота - переход
100MHz
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Упаковка / Чехол
SC-71
Комплект устройства поставщика
MSTM
Базовый номер продукта
2SC3669
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1
Другие названия
2SC3669-Y(T2OMIFM
2SC3669YT2OMIFM
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0075
Сертификация DIGI
Связанные продукты
2SC4604,T6F(J
TRANS NPN 50V 3A TO92MOD
2SA1587-BL,LF
TRANS PNP 120V 0.1A SC70
2SC2859-Y(TE85L,F)
TRANS NPN 30V 0.5A SMINI
