Производитель Номер продукта:
2SC6042,T2HOSH1Q(J
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
2SC6042,T2HOSH1Q(J-DG
Описание:
TRANS NPN 375V 1A MSTM
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 375 V 1 A 1 W Through Hole MSTM
Инвентаризация:
12891837
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
2SC6042,T2HOSH1Q(J Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип транзистора
NPN
Ток - коллектор (IC) (макс.)
1 A
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
375 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
1V @ 100mA, 800mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
100µA (ICBO)
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 5V
Мощность - Макс
1 W
Частота - переход
-
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Упаковка / Чехол
SC-71
Комплект устройства поставщика
MSTM
Базовый номер продукта
2SC6042
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1
Другие названия
2SC6042T2HOSH1Q(J
2SC6042T2HOSH1QJ
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BSR33TA
TRANS PNP 80V 1A SOT89-3
2SA1162S-GR,LF(D
TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
2SC5200-O(Q)
TRANS NPN 230V 15A TO3P
