Производитель Номер продукта:
2SD2695(T6CNO,A,F)
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
2SD2695(T6CNO,A,F)-DG
Описание:
TRANS NPN 60V 2A TO92MOD
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 2 A 100MHz 900 mW Through Hole TO-92MOD
Инвентаризация:
12949791
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
2SD2695(T6CNO,A,F) Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип транзистора
NPN
Ток - коллектор (IC) (макс.)
2 A
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
60 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
1.5V @ 1mA, 1A
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
10µA (ICBO)
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
2000 @ 1A, 2V
Мощность - Макс
900 mW
Частота - переход
100MHz
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Упаковка / Чехол
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Комплект устройства поставщика
TO-92MOD
Базовый номер продукта
2SD2695
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1
Другие названия
2SD2695T6CNOAF
2SD2695(T6CNOAF)
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0075
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BC846B-7-F
TRANS NPN 65V 0.1A SOT23-3
FMMT6517TC
TRANS NPN 350V 0.5A SOT23-3
MMBT5551-7
BJT SOT23 160V NPN 0.25W 150C