Производитель Номер продукта:
2SJ380(F)
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
2SJ380(F)-DG
Описание:
MOSFET P-CH 100V 12A TO220NIS
Подробное описание:
P-Channel 100 V 12A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220NIS
Инвентаризация:
12891266
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
2SJ380(F) Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
210mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1100 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
35W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220NIS
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Базовый номер продукта
2SJ380
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TPH1R204PL,L1Q
MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
TK14N65W5,S1F
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO247
TPCC8002-H(TE12LQM
MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
