Производитель Номер продукта:
2SK2719(F)
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
2SK2719(F)-DG
Описание:
MOSFET N-CH 900V 3A TO3P
Подробное описание:
N-Channel 900 V 3A (Ta) 125W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Инвентаризация:
12889784
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
2SK2719(F) Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
900 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.3Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
750 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
125W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-3P(N)
Упаковка / Чехол
TO-3P-3, SC-65-3
Базовый номер продукта
2SK2719
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SSM3J355R,LF
MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
SSM3K339R,LF
MOSFET N-CH 40V 2A SOT-23F
SSM6J409TU(TE85L,F
MOSFET P-CH 20V 9.5A UF6
