2SK2719(F)
Производитель Номер продукта:

2SK2719(F)

Product Overview

Производитель:

Toshiba Semiconductor and Storage

Номер детали:

2SK2719(F)-DG

Описание:

MOSFET N-CH 900V 3A TO3P
Подробное описание:
N-Channel 900 V 3A (Ta) 125W (Tc) Through Hole TO-3P(N)

Инвентаризация:

12889784
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

2SK2719(F) Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
900 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.3Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
750 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
125W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-3P(N)
Упаковка / Чехол
TO-3P-3, SC-65-3
Базовый номер продукта
2SK2719

Дополнительная информация

Стандартный пакет
50

Классификация окружающей среды и экспорта

Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3J355R,LF

MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3K339R,LF

MOSFET N-CH 40V 2A SOT-23F

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM6J409TU(TE85L,F

MOSFET P-CH 20V 9.5A UF6

toshiba-semiconductor-and-storage

TK20A60U(Q,M)

MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS