Производитель Номер продукта:
2SK2845(TE16L1,Q)
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
2SK2845(TE16L1,Q)-DG
Описание:
MOSFET N-CH 900V 1A DP
Подробное описание:
N-Channel 900 V 1A (Ta) 40W (Tc) Surface Mount PW-MOLD
Инвентаризация:
12891701
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
3Bfs
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
2SK2845(TE16L1,Q) Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
900 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
9Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
350 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
40W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PW-MOLD
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
2SK2845
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,000
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IXTY1N100P
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
IXTY1N100P-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.61
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
T2N7002BK,LM
MOSFET N-CH 60V 400MA SOT23-3
DMG2302UKQ-7
MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 T&R 3
DMG4N60SCT
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220AB
