Производитель Номер продукта:
2SK3798(STA4,Q,M)
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
2SK3798(STA4,Q,M)-DG
Описание:
POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220(S
Подробное описание:
N-Channel 900 V 4A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Инвентаризация:
12987734
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
2SK3798(STA4,Q,M) Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
900 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.5Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
800 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
40W (Tc)
Рабочая температура
150°C
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220SIS
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
264-2SK3798(STA4,Q,M)-DG
264-2SK3798(STA4QM)
264-2SK3798(STA4,Q,M)
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DI020P06PT
MOSFET PWRQFN 3X3 -60V 0.045OHM
IAUC120N04S6N006ATMA1
IAUC120N04S6N006ATMA1
TW015N120C,S1F
G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 15MO