Производитель Номер продукта:
HN1B01FU-Y,LXHF
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
HN1B01FU-Y,LXHF-DG
Описание:
AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor Array 50V 150mA 120MHz, 150MHz 200mW Surface Mount US6
Инвентаризация:
5878 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12966894
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
HN1B01FU-Y,LXHF Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Массивы биполярных транзисторов
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
-
Ток - коллектор (IC) (макс.)
150mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
300mV @ 10mA, 100mA / 250mV @ 10mA, 100mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
100nA (ICBO)
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
120 @ 2mA, 6V
Мощность - Макс
200mW
Частота - переход
120MHz, 150MHz
Рабочая температура
-
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Комплект устройства поставщика
US6
Базовый номер продукта
HN1B01
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
264-HN1B01FU-YLXHFDKR
264-HN1B01FU-Y,LXHFCT
264-HN1B01FU-Y,LXHFTR
264-HN1B01FU-YLXHFCT
264-HN1B01FU-Y,LXHFCT-DG
264-HN1B01FU-YLXHFTR
264-HN1B01FU-Y,LXHFTR-DG
264-HN1B01FU-Y,LXHFDKR-DG
264-HN1B01FU-Y,LXHFDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0075
Сертификация DIGI
Связанные продукты
HN1A01FE-GR,LXHF
AUTO AEC-Q PNP + PNP TR VCEO:-50
HN1C01FE-Y,LXHF
AUTO AEC-Q NPN + NPN TR VCEO:50V
HN1B04FE-Y,LXHF
AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50