Производитель Номер продукта:
HN1B04FE-Y,LF
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
HN1B04FE-Y,LF-DG
Описание:
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 80MHz 100mW Surface Mount ES6
Инвентаризация:
5 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12891445
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
HN1B04FE-Y,LF Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Массивы биполярных транзисторов
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
NPN, PNP
Ток - коллектор (IC) (макс.)
150mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
250mV @ 10mA, 100mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
100nA (ICBO)
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
120 @ 2mA, 6V
Мощность - Макс
100mW
Частота - переход
80MHz
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SOT-563, SOT-666
Комплект устройства поставщика
ES6
Базовый номер продукта
HN1B04
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
4,000
Другие названия
HN1B04FE-YLF(TTR-DG
HN1B04FE-Y(T5LFTDKR-DG
HN1B04FE-YLF(TDKR
HN1B04FE-Y,LF(T
HN1B04FE-YLF(TTR
HN1B04FE-Y(T5LFTTR
HN1B04FE-Y(T5LFTTR-DG
HN1B04FE-YLFDKR
HN1B04FE-Y(T5LFTCT-DG
HN1B04FE-YLF(TCT-DG
HN1B04FE-YLFCT
HN1B04FE-YLF(TDKR-DG
HN1B04FE-Y(T5LFTCT
HN1B04FE-Y(T5L,F,T
HN1B04FE-Y(T5LFTDKR
HN1B04FE-YLFTR
HN1B04FE-YLF(TCT
HN1B04FE-Y,LF(B
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMMT5551S-7-F
TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT26
2SA1873-Y(TE85L,F)
TRANS 2PNP 50V 0.15A USV
HN1A01FU-GR,LF
TRANS 2PNP 50V 0.15A US6-PLN
