Производитель Номер продукта:
HN1C01FYTE85LF
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
HN1C01FYTE85LF-DG
Описание:
TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 80MHz 300mW Surface Mount SM6
Инвентаризация:
12889413
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
HN1C01FYTE85LF Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Массивы биполярных транзисторов
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
2 NPN (Dual)
Ток - коллектор (IC) (макс.)
150mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
250mV @ 10mA, 100mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
100nA (ICBO)
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
120 @ 2mA, 6V
Мощность - Макс
300mW
Частота - переход
80MHz
Рабочая температура
125°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SC-74, SOT-457
Комплект устройства поставщика
SM6
Базовый номер продукта
HN1C01
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
HN1C01FYTE85LFTR
HN1C01F-Y (TE85L,F)
HN1C01FYTE85LFCT
HN1C01F-Y(TE85L,F)
HN1C01FYTE85LFDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IMX1T110
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
30361
Номер части
IMX1T110-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.06
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
HN2C01FEYTE85LF
TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
HN3C51F-BL(TE85L,F
TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
BC847CDLP-7
TRANS 2NPN 45V 0.1A 6DFN