Производитель Номер продукта:
HN1C03FU-A(TE85L,F
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
HN1C03FU-A(TE85L,F-DG
Описание:
TRANS 2NPN 20V 0.3A US6
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 20V 300mA 30MHz 200mW Surface Mount US6
Инвентаризация:
12889810
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
HN1C03FU-A(TE85L,F Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Массивы биполярных транзисторов
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
2 NPN (Dual)
Ток - коллектор (IC) (макс.)
300mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
20V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
100mV @ 3mA, 30mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
100nA (ICBO)
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
200 @ 4mA, 2V
Мощность - Макс
200mW
Частота - переход
30MHz
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Комплект устройства поставщика
US6
Базовый номер продукта
HN1C03
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
HN1C03FU-A(TE85LFDKR
HN1C03FU-A(TE85LFCT
HN1C03FU-A(TE85LFTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Альтернативные модели
Номер детали
QSX8TR
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
300
Номер части
QSX8TR-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.17
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BC846ASQ-7-F
GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT36
2SA1618-Y(TE85L,F)
TRANS 2PNP 50V 0.15A SMV
ULN2803ANG4
TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
