HN3C51F-GR(TE85L,F
Производитель Номер продукта:

HN3C51F-GR(TE85L,F

Product Overview

Производитель:

Toshiba Semiconductor and Storage

Номер детали:

HN3C51F-GR(TE85L,F-DG

Описание:

TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SM6

Инвентаризация:

12889166
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

HN3C51F-GR(TE85L,F Технические характеристики

Категория
Биполярный транзистор (BJT), Массивы биполярных транзисторов
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип транзистора
2 NPN (Dual)
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
120V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
300mV @ 1mA, 10mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
100nA (ICBO)
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 6V
Мощность - Макс
300mW
Частота - переход
100MHz
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SC-74, SOT-457
Комплект устройства поставщика
SM6
Базовый номер продукта
HN3C51

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
HN3C51FGR(TE85LFTR
HN3C51F-GR(TE85LF)CT-DG
HN3C51F-GR(TE85LF)TR-DG
HN3C51F-GR(TE85LFDKR
HN3C51F-GR(TE85LF)TR
HN3C51F-GR(TE85LFTR
HN3C51F-GR(TE85L,F)
HN3C51FGR(TE85LFTR-DG
HN3C51F-GRTE85LF
HN3C51F-GR(TE85LFCT
HN3C51F-GR(TE85LF)CT
HN3C51F-GR(TE85LF)DKR
HN3C51F-GR(TE85LF)DKR-DG

Классификация окружающей среды и экспорта

Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0075
Сертификация DIGI
Связанные продукты
toshiba-semiconductor-and-storage

HN1C01FU-GR,LF

TRANS 2NPN 50V 0.15A US6

toshiba-semiconductor-and-storage

HN3A51F(TE85L,F)

TRANS 2PNP 120V 0.1A SM6

toshiba-semiconductor-and-storage

HN4A56JU(TE85L,F)

TRANS 2 PNP 50V 150MA 5TSSOP

toshiba-semiconductor-and-storage

HN2C01FU-Y(TE85L,F

TRANS 2NPN 50V 0.15A US6