Производитель Номер продукта:
HN4B01JE(TE85L,F)
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
HN4B01JE(TE85L,F)-DG
Описание:
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ESV PLN
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP (Emitter Coupled) 50V 150mA 80MHz 100mW Surface Mount ESV
Инвентаризация:
3440 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12891278
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
HN4B01JE(TE85L,F) Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Массивы биполярных транзисторов
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
NPN, PNP (Emitter Coupled)
Ток - коллектор (IC) (макс.)
150mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
250mV @ 10mA, 100mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
100nA (ICBO)
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
120 @ 2mA, 6V
Мощность - Макс
100mW
Частота - переход
80MHz
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SOT-553
Комплект устройства поставщика
ESV
Базовый номер продукта
HN4B01
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
4,000
Другие названия
HN4B01JETE85LF
HN4B01JE(TE85LF)TR
HN4B01JE(TE85LF)DKR
HN4B01JE (TE85L,F)
HN4B01JE(TE85LF)CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Альтернативные модели
Номер детали
FMY1AT148
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
175
Номер части
FMY1AT148-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.10
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
2SC4207-GR(TE85L,F
TRANS 2NPN 50V 0.15A SMV
HN4B04J(TE85L,F)
TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SMV
DMMT3904W-7
TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT363
