Производитель Номер продукта:
HN4B102J(TE85L,F)
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
HN4B102J(TE85L,F)-DG
Описание:
PB-F POWER TRANSISTOR SMV MOQ=30
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 30V 1.8A, 2A 750mW Surface Mount SMV
Инвентаризация:
2900 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12988801
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
HN4B102J(TE85L,F) Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Массивы биполярных транзисторов
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
NPN, PNP
Ток - коллектор (IC) (макс.)
1.8A, 2A
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
30V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
140mV @ 20mA, 600mA / 200mV @ 20mA, 600mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
100nA (ICBO)
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
200 @ 200mA, 2V
Мощность - Макс
750mW
Частота - переход
-
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SC-74A, SOT-753
Комплект устройства поставщика
SMV
Базовый номер продукта
HN4B102
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
264-HN4B102J(TE85LF)TR
264-HN4B102J(TE85LF)TR-DG
264-HN4B102J(TE85L,F)DKR
264-HN4B102J(TE85L,F)TR-DG
264-HN4B102J(TE85L,F)TR
264-HN4B102J(TE85L,F)CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
ULN2803CDWR
50-V, EIGHT-CHANNEL DARLINGTON A
SBC846BDW1T1G-M01
SBC846BDW1T1G-M01
CMLT3474 TR
TRANS NPN/PNP 25V 1A SOT563
