Производитель Номер продукта:
HN4C06J-BL(TE85L,F
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
HN4C06J-BL(TE85L,F-DG
Описание:
TRANS 2 NPN 120V 100MA SC74A
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) Common Emitter 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SMV
Инвентаризация:
12890625
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
HN4C06J-BL(TE85L,F Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Массивы биполярных транзисторов
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Not For New Designs
Тип транзистора
2 NPN (Dual) Common Emitter
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
120V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
300mV @ 1mA, 10mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
100nA (ICBO)
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 6V
Мощность - Макс
300mW
Частота - переход
100MHz
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SC-74A, SOT-753
Комплект устройства поставщика
SMV
Базовый номер продукта
HN4C06
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
HN4C06J-BL(TE85LFTR
HN4C06J-BL(TE85LFDKR
HN4C06J-BL(TE85LFCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0075
Сертификация DIGI
Связанные продукты
ULN2803APG,CN
TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
HN1B01FU-GR,LF
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6-PLN
ULN2004APG,C,N
IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16DIP
