Производитель Номер продукта:
HN4C51J(TE85L,F)
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
HN4C51J(TE85L,F)-DG
Описание:
TRANS 2NPN 120V 0.1A SMV
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) Common Base 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SMV
Инвентаризация:
6983 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12891919
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
HN4C51J(TE85L,F) Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Массивы биполярных транзисторов
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
2 NPN (Dual) Common Base
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
120V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
300mV @ 1mA, 10mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
100nA (ICBO)
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 6V
Мощность - Макс
300mW
Частота - переход
100MHz
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SC-74A, SOT-753
Комплект устройства поставщика
SMV
Базовый номер продукта
HN4C51
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
HN4C51J (TE85LF)
HN4C51JTE85LF
HN4C51J(TE85LF)DKR
HN4C51J(TE85LF)CT
HN4C51J (TE85L,F)
HN4C51J(TE85LF)TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0075
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMMT3904WQ-7-F
TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT363
BCM847BS/ZLF
TRANS 2NPN 45V 0.1A 6TSSOP
IMT4-7-F
TRANS 2PNP 120V 0.05A SOT26
