HN4C51J(TE85L,F)
Производитель Номер продукта:

HN4C51J(TE85L,F)

Product Overview

Производитель:

Toshiba Semiconductor and Storage

Номер детали:

HN4C51J(TE85L,F)-DG

Описание:

TRANS 2NPN 120V 0.1A SMV
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) Common Base 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SMV

Инвентаризация:

6983 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12891919
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

HN4C51J(TE85L,F) Технические характеристики

Категория
Биполярный транзистор (BJT), Массивы биполярных транзисторов
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
2 NPN (Dual) Common Base
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
120V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
300mV @ 1mA, 10mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
100nA (ICBO)
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 6V
Мощность - Макс
300mW
Частота - переход
100MHz
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SC-74A, SOT-753
Комплект устройства поставщика
SMV
Базовый номер продукта
HN4C51

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
HN4C51J (TE85LF)
HN4C51JTE85LF
HN4C51J(TE85LF)DKR
HN4C51J(TE85LF)CT
HN4C51J (TE85L,F)
HN4C51J(TE85LF)TR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0075
Сертификация DIGI
Связанные продукты
diodes

DMMT3904WQ-7-F

TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT363

nexperia

BCM847BS/ZLF

TRANS 2NPN 45V 0.1A 6TSSOP

diodes

IMT4-7-F

TRANS 2PNP 120V 0.05A SOT26

diodes

DST857BDJ-7

TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT963