Производитель Номер продукта:
MT3S111(TE85L,F)
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
MT3S111(TE85L,F)-DG
Описание:
RF TRANS NPN 6V 11.5GHZ SMINI
Подробное описание:
RF Transistor NPN 6V 100mA 11.5GHz 700mW Surface Mount S-Mini
Инвентаризация:
7771 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12889624
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
MT3S111(TE85L,F) Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Биполярные радиочастотные транзисторы
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
NPN
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
6V
Частота - переход
11.5GHz
Коэффициент шума (дБ Typ @ f)
1.2dB @ 1GHz
Прибыль
12dB
Мощность - Макс
700mW
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
200 @ 30mA, 5V
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100mA
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Комплект устройства поставщика
S-Mini
Базовый номер продукта
MT3S111
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
MT3S111(TE85LF)DKR
MT3S111(TE85LF)TR
MT3S111(TE85LF)
MT3S111(TE85LF)CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0075
Сертификация DIGI
Связанные продукты
MT3S113P(TE12L,F)
RF TRANS NPN 5.3V 7.7GHZ PW-MINI
2SC4215-Y(TE85L,F)
RF TRANS NPN 30V 550MHZ USM
2SC5086-Y,LF
RF TRANS NPN 12V 7GHZ SSM
