Производитель Номер продукта:
RN1101MFV,L3F
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
RN1101MFV,L3F-DG
Описание:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
Инвентаризация:
12891039
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
RN1101MFV,L3F Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Однополярные, предварительно смещенные биполярные транзисторы
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Not For New Designs
Тип транзистора
NPN - Pre-Biased
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100 mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50 V
Резистор - база (R1)
4.7 kOhms
Резистор - база эмиттера (R2)
4.7 kOhms
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
30 @ 10mA, 5V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
300mV @ 500µA, 5mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
500nA
Мощность - Макс
150 mW
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SOT-723
Комплект устройства поставщика
VESM
Базовый номер продукта
RN1101
Дополнительная информация
Стандартный пакет
8,000
Другие названия
RN1101MFV,L3F(B
RN1101MFVL3FCT
RN1101MFV,L3F(T
RN1101MFVL3FDKR
RN1101MFVL3FTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Альтернативные модели
Номер детали
DTC143EMT2L
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
19876
Номер части
DTC143EMT2L-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.04
Тип замещения
Direct
Сертификация DIGI
Связанные продукты
RN2311(TE85L,F)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
RN1444ATE85LF
TRANS PREBIAS NPN 20V 0.3A SMINI
DDTC122TU-7-F
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323
