Производитель Номер продукта:
RN1102,LF(CT
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
RN1102,LF(CT-DG
Описание:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW Surface Mount SSM
Инвентаризация:
12891646
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
RN1102,LF(CT Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Однополярные, предварительно смещенные биполярные транзисторы
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
NPN - Pre-Biased
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100 mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50 V
Резистор - база (R1)
10 kOhms
Резистор - база эмиттера (R2)
10 kOhms
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
50 @ 10mA, 5V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
500nA
Частота - переход
250 MHz
Мощность - Макс
100 mW
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SC-75, SOT-416
Комплект устройства поставщика
SSM
Базовый номер продукта
RN1102
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
RN1102LF(CT
RN1102LF(CTTR
RN1102LF(CT-DG
RN1102LF(CTDKR
RN1102,LF(CB
RN1102LF(CTCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0075
Альтернативные модели
Номер детали
SDTC114EET1G
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
7017
Номер части
SDTC114EET1G-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.04
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DDTC113TKA-7-F
TRANS PREBIAS NPN 50V SC59-3
DDTA123TUA-7
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323
RN2103MFV,L3F
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM