Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
ДР Конго
Аргентина
Турция
Румыния
Литва
Норвегия
Австрия
Ангола
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Беларусь
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Черногория
Русский
Бельгия
Швеция
Сербия
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Молдова
Германия
Нидерланды
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
Франция
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Португалия
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Испания
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
RN1103MFV,L3F
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
RN1103MFV,L3F-DG
Описание:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
Инвентаризация:
254 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12889861
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
RN1103MFV,L3F Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Однополярные, предварительно смещенные биполярные транзисторы
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Cut Tape (CT)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
NPN - Pre-Biased
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100 mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50 V
Резистор - база (R1)
22 kOhms
Резистор - база эмиттера (R2)
22 kOhms
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
70 @ 10mA, 5V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
300mV @ 500µA, 5mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
500nA
Мощность - Макс
150 mW
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SOT-723
Комплект устройства поставщика
VESM
Базовый номер продукта
RN1103
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
RN1101-6MFB
Дополнительная информация
Стандартный пакет
8,000
Другие названия
RN1103MFV,L3F(T
RN1103MFV,L3F(B
RN1103MFVL3FTR
RN1103MFVL3FDKR
RN1103MFVL3FCT
RN1103MFVL3F
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Альтернативные модели
Номер детали
NSBC124EF3T5G
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
4316
Номер части
NSBC124EF3T5G-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.07
Тип замещения
Similar
Номер детали
DTC124EM3T5G
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
7315
Номер части
DTC124EM3T5G-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.03
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
RN2305(TE85L,F)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
RN1103MFV(TPL3)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
RN2114(TE85L,F)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
DDTA114EUA-7
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323